英伟达最新旗舰芯片B300/GB300的问题与挑战分析
一、背景与概述
英伟达在芯片市场的领先地位面临着严峻的考验。继B200/GB200芯片交付推迟后，新一代旗舰芯片B300/GB300的开发进程中出现了难题。据Wccftech于12月24日的报道，英伟达B300/GB300芯片的参数已经确认，其显存规格、内存模块设计和光模块带宽均有所提升。性能的显著提高伴随着功耗的大幅增加，B300/GB300的TDP（热设计功耗）达到了1400W，远超Hopper架构旗舰产品H100芯片的350W。这一功耗的增加为服务器的散热设计带来了巨大挑战。
二、技术参数与性能提升
B300芯片的显存规格从上一代的192Gb提升至288Gb，显示了其性能的显著提升。GB300平台引入了LPCAMM内存模块设计，并配备了带宽达到1.6Tbps的光模块，以支持高速数据传输。这些技术的改进预示着B300/GB300在性能上的飞跃，但同时也带来了功耗控制的难题。
三、功耗与散热问题
功耗的急剧增加对服务器的散热设计提出了更高的要求。天风国际分析师郭明錤在其研报中提到，英伟达在为B300/GB300开发测试DrMos技术时，发现了芯片的严重过热问题，这可能影响到B300/GB300的量产进度。DrMos技术是一种集成驱动器和MOS的电源解决方案，旨在减少元件空间占用并降低寄生参数影响，提升转换效率和功率密度。
四、DrMos技术问题
英伟达在Hooper架构芯片上使用的DrMos方案由MPS供应，而在Blackwell架构上则开始测试AOS的5*5DrMos方案。尽管AOS的DrMos方案在行业内已经得到广泛验证，但产业链人士指出，B300的发热问题不仅源于DrMos芯片本身，还与系统芯片管理的设计不足有关。
五、Blackwell架构的设计问题
Blackwell架构的B200在台积电流片过程中发现设计缺陷，这并非Blackwell首次出现设计问题。黄仁勋曾明确表示，GPU芯片、LSI桥、RDL中介层和主板基板之间的热膨胀特性不匹配导致封装结构出现弯曲，问题在于英伟达。B200/GB200芯片的交付时间因此被推迟至4季度，而目前尚无公司拿到B200芯片，马斯克凭借10.8亿美元的订单获得了B200芯片的优先交付权。
六、B300芯片的未来
B300芯片原定于明年3月GTC大会上发布，但现在面临未发布先难产的问题。英伟达在Blackwell架构上一再出现问题的一个原因是过于追求性能上的断代领先，导致Blackwell系列芯片几乎成为一个实验性平台。例如，Blackwell是一枚基于MCM设计的GPU，集成两颗GPU die，并首次应用台积电的CoWoS-L封装技术。
七、总结
英伟达面临着在Blackwell架构上的重大挑战，包括功耗控制、散热设计和封装技术等问题。这些问题不仅影响了B200/GB200芯片的交付，也可能对B300/GB300的量产和发布产生影响。英伟达需要解决这些问题，以保持其在AI服务器芯片市场的领先地位。
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评论列表（4条）
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希望本篇文章《英伟达新芯片备受期待 未上市已面临挑战 但传言称遭遇生产难题 (英伟达新芯片曝过热问题)》能对你有所帮助！
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