近期，英伟达在芯片领域面临了一系列挑战。继B200/GB200芯片交付推迟之后，英伟达的最新旗舰芯片B300/GB300也遭遇了新品难产的问题。根据Wccftech的报道，B300/GB300芯片的参数已得到确认，其中B300的显存规格从上代产品的192Gb提升至288Gb，而GB300平台将首次使用LPCAMM内存模块设计，并配备带宽提升至1.6Tbps的光模块以确保数据高速传输。尽管性能上有显著提升，但B300/GB300的功耗也达到了史无前例的高度，TDP（热设计功耗）高达1400W，相较于Hopper架构的H100芯片的350W TDP，这对服务器的散热设计提出了巨大的挑战。
据报道，英伟达在开发测试DrMos技术时，B300/GB300芯片出现了严重的过热问题，这可能会影响B300/GB300的量产进度。天风国际分析师郭明錤在研报中指出了这一问题，而这一问题似乎与AOS（Alpha&OmegaSemiconductor）公司提供的5*5DrMos方案有关。DrMos技术是英特尔在2004年推出的，其主要原理是将驱动器和MOS集成在一起，以减小元件空间占用和降低寄生参数带来的负面影响，从而提升转换效率和功率密度。这种技术已经被广泛应用于消费级显卡RTX3060等产品中。
尽管AOS的DrMos方案在行业内得到了广泛验证，但郭明錤的研报中提到，产业链人士指出B300的发热问题不仅与DrMos芯片本身有关，还与系统芯片管理的设计不足有关。这已经不是Blackwell架构首次被曝出存在设计问题。今年8月，《TheInformation》报道称，B200在台积电流片过程中发现设计存在缺陷，原因是GPU芯片、LSI桥、RDL中介层和主板基板之间的热膨胀特性不匹配，导致封装结构出现弯曲。英伟达CEO黄仁勋承认这是英伟达的责任，并导致B200/GB200芯片的交付时间从今年3季度推迟至4季度。
回到B300芯片，这是原定在明年3月GTC大会上发布的旗舰产品，但现在面临未发布先难产的问题。英伟达在Blackwell架构上多次出现问题，一个重要原因是英伟达过于追求芯片性能的断代领先，导致Blackwell系列芯片几乎变成一个实验性平台。例如，CoWoS-L封装技术的应用。Blackwell是基于MCM（多芯片封装）设计的GPU，即在同一个芯片上集成两颗GPUdie。为了配合英伟达的需求，台积电首次将CoWoS-L技术应用在这枚芯片的封装上。
英伟达在Blackwell架构上的问题不仅涉及技术层面，还涉及产品设计和项目管理。这些问题表明，尽管英伟达在GPU领域具有强大的技术实力，但在追求性能突破的同时，也需要更加关注产品的可靠性和稳定性。未来，英伟达需要在技术创新和产品稳定性之间找到平衡点，以确保其旗舰产品的顺利推出和市场竞争力。
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评论列表（4条）
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希望本篇文章《英伟达新旗舰显卡亮相 是技术突破还是市场难产的前奏 (英伟达旗舰店下架)》能对你有所帮助！
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