近期，英伟达的新旗舰芯片B300/GB300遭遇了严峻的生产挑战。根据Wccftech的报道，尽管B300/GB300在技术上取得了显著的进步，如显存规格从192Gb提升至288Gb，平台采用了LPCAMM内存模块设计以及带宽提升至1.6Tbps的光模块，以确保数据的高速传输，但这类产品的功耗也达到了历史新高，TDP高达1400W，远超过Hopper架构的H100芯片的350W TDP。这对服务器的散热设计提出了极大的挑战。
天风国际的分析师郭明錤在研报中提到，英伟达在开发B300/GB300时，发现芯片存在严重的过热问题，这可能会影响产品的量产进度。这一问题与DrMos技术有关，该技术由AOS公司提供，是英特尔在2004年推出的一项技术，旨在通过集成驱动器和MOS来减小元件空间占用，并降低寄生参数的影响，从而提高转换效率和功率密度。简单地说，DrMos是一个高度集成的电源解决方案。
尽管AOS的5*5 DrMos芯片是一个散热能效高和成熟的方案，在行业内得到广泛验证，但B300芯片的发热问题并不仅仅是DrMos芯片本身的问题。郭明錤研报中提到的产业链人士指出，B300的发热问题还源于系统芯片管理的设计不足。这已经不是Blackwell架构首次被曝出存在设计问题。今年8月，《The Information》报道，B200芯片在台积电流片过程中发现设计缺陷，问题在于GPU芯片、LSI桥、RDL中介层和主板基板之间的热膨胀特性不匹配，导致封装结构出现弯曲，黄仁勋确认这是英伟达的责任。
B200/GB200芯片的交付时间因此从今年3季度推迟至4季度，而根据公开资料，马斯克凭借10.8亿美元的订单获得了B200芯片的优先交付权，用于增强xAI的超级计算集群Colossus。即使是xAI，也必须等到明年1月份才能收到B200芯片。
至于B300芯片，原定于明年3月GTC大会上发布的旗舰产品，现在却面临未发布先难产的问题。英伟达完全垄断AI服务器芯片市场，却在Blackwell架构上一再出现问题。一个重要原因是英伟达过于追求性能上的断代领先，导致Blackwell系列芯片作为量产型产品，几乎变成了一个实验性平台。例如，CoWoS-L封装技术的应用。Blackwell是一枚基于MCM设计的GPU，即在同一芯片上集成两颗GPU die，为了配合英伟达的需求，台积电方面首次将CoWoS-L技术应用于这枚芯片的封装。
英伟达的Blackwell架构面临的设计挑战表明，尽管公司在追求技术进步和性能领先方面取得了一定的成就，但在实现这些目标的过程中，也必须考虑到产品设计的实际应用和可靠性。过热问题和设计缺陷不仅会推迟产品的上市时间，还可能损害公司的声誉和市场份额。英伟达需要在追求技术突破的同时，确保其产品能够满足市场需求和客户期望。
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